SIHB30N60E-GE3价格

参考价格:¥19.6466

型号:SIHB30N60E-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIHB30N60E-GE3多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHB30N60E-GE3批发/采购报价,SIHB30N60E-GE3行情走势销售排行榜,SIHB30N60E-GE3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIHB30N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

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威世科技

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SIHB30N60E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB30N60E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-30 18:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Vishay
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NA
3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
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D2PAK(TO-263)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
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