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SIF912EDZ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIF912EDZ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-29 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AMIS
25+
QFP
996880
只做原装,欢迎来电资询
SISEMI
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TO-251T252220220FP26
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