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SIE860DF-T1-GE3

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:209.75 Kbytes Page:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SIE860DF-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIE860DF-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-24 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
新批次
QFN
4326
VISHAY/威世
PolarPAK
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
VISHAY
23+
SO-8
3000
全新原装现货 优势库存
Vishay Siliconix
23+
SMD
67000
原装正品实单可谈 库存现货
VISHAY
2023+
QFN
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
VISHAY/威世
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
22+23+
QFN
46738
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
VISHAY
23+
SO-8
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
VISHAY/威世
23+
NA/
410
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
23+
N/A
48900
正品授权货源可靠

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