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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SID9435 | P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：671.85 Kbytes Page：4 Pages | SECOS 喜可士 |   | |
SID9435 | MosFET | SECOS 喜可士 | | |
P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：672.77 Kbytes Page：4 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) | HOTTECH 合科泰 | | ||
MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32 文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | | ||
20V P-Channel Increased MOS FET 文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SID9435产品属性
- 类型
描述
- 型号
SID9435
- 制造商
SECOS
- 制造商全称
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
- 功能描述
P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSF |
25+ |
SMD |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
SUNWIN |
24+ |
NA |
46184 |
只做原装进口现货 |
|||
SYMTRON |
新 |
81 |
全新原装 货期两周 |
||||
SIEMENS |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
||||
SIEMENS |
16+ |
BGA |
821 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
||||
INFINEON |
23+ |
7000 |
|||||
SIEMENS |
25+ |
BGA |
6500 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
SECOS |
2022+ |
TO-251 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO251 |
60000 |
全新原装现货 |
SID9435规格书下载地址
SID9435参数引脚图相关
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2019-9-6
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