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SIA413DJ-T1-GE3

P-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.25235 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SIA413DJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA413DJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-11-10 23:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2023+
QFN
6000
一级代理优势现货,全新正品直营店
VISHAY/威世
23+
NA/
4220
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY
2016+
QFN
2500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
VISHAY
2020+
QFN6
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY/威世
22+
QFN
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY
23+
QFN6
20000
原厂原装正品现货
VISHAY
23+
QFN6
800
只做原装全系列供应价格优势
VISHAY
QFN-6
49033
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
VISHAY
22+
QFN-6
8000
原装正品现货假一罚十
VISHAY
21+
QFN6
35400
一级代理/放心采购

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SIA413DJ-T1-GE3数据表相关新闻

  • SIA519EDJ-T1-GE3

    优势渠道

    2023-2-14
  • SI9945BDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SIA413DJ-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SIA421DJ-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9987-缓冲H桥

    该Si9987是一个综合的,缓冲的H-桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD=5.0V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8V至13.2V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。特点1.0的H-桥500kHz的开关频率贯通有限公司TTL兼容输入3.8至13

    2013-2-7
  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85°C)温度范围。...

    2013-2-7