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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIA413DJ-T1-GE3 | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.25235 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SIA413DJ-T1-GE3 | MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
SIA413DJ-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA413DJ-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
QFN6 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
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VISHAY |
24+ |
QFN-6 |
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VISHAY |
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N/A |
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VISHAY |
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Vishay |
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VISHAY |
24+ |
QFN-6 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN-6 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
DFN6 |
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百分百原装现货 实单必成 |
SIA413DJ-T1-GE3规格书下载地址
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SIA413DJ-T1-GE3数据表相关新闻
SIA519EDJ-T1-GE3
优势渠道
2023-2-14SIA413DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SIA421DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7Si9976-N沟道半桥式驱动器
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2013-2-7
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