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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SIA413DJ-T1-GE3 | P-Channel20V(D-S)MOSFET 文件:1.25235 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
SIA413DJ-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA413DJ-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
QFN |
6000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
4220 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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VISHAY |
2016+ |
QFN |
2500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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VISHAY |
2020+ |
QFN6 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
QFN |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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VISHAY |
23+ |
QFN6 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
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VISHAY |
23+ |
QFN6 |
800 |
只做原装全系列供应价格优势 |
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VISHAY |
QFN-6 |
49033 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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VISHAY |
22+ |
QFN-6 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
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VISHAY |
21+ |
QFN6 |
35400 |
一级代理/放心采购 |
SIA413DJ-T1-GE3规格书下载地址
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SIA413DJ-T1-GE3数据表相关新闻
SIA519EDJ-T1-GE3
优势渠道
2023-2-14SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SIA413DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SIA421DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的,缓冲的H-桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD=5.0V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8V至13.2V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。特点1.0的H-桥500kHz的开关频率贯通有限公司TTL兼容输入3.8至13
2013-2-7Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85°C)温度范围。...
2013-2-7
DdatasheetPDF页码索引
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