SI9933CDY-T1-GE3价格

参考价格:¥0.8884

型号:SI9933CDY-T1-GE3 品牌:VISHAY 备注:这里有SI9933CDY-T1-GE3多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI9933CDY-T1-GE3批发/采购报价,SI9933CDY-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI9933CDY-T1-GE3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI9933CDY-T1-GE3

DualP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitch •DC/DCconverter

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
SI9933CDY-T1-GE3

DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.05563 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
SI9933CDY-T1-GE3

DualP-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:276.18 Kbytes Page:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI9933CDY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9933CDY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-21 20:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay Siliconix
24+
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
VISHAY/威世
SOP-8
28942
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十
VISHAY/威世
22+
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY威世
21+
SOP-8
8800
公司只做原装正品
23+
SOP-8
20000
原厂原装正品现货
VISHAY/威世
23+
NA/
108
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VISHAY(威世)
23+
SOP-8
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY/威世
23+
SOIC-8
2252
18万条库存,一站式配齐
VISHAY/威世
23+
SOP
9000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
VISHAY/威世
23+
SOIC-8
3800
大批量供应优势库存热卖

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    2020-9-18
  • SI9182DH-AD-T1

    2OutputFixed1.8V,3.3VSMD/SMT低压差稳压器,40V1OutputSMD/SMTPositive低压差稳压器,1Output5VSOT-23-5低压差稳压器,SMD/SMTNegative低压差稳压器,15V1ASOT-223-3低压差稳压器,1Output1AAdj低压差稳压器

    2020-8-24
  • SI9945BDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC-DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60-ns的propogation延迟,3000pF负载25ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。特点4.5至5.5V操作

    2013-2-25
  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号,保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位,允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态,并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di/dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任(二极管反向恢复时间)在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

    2013-2-25