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SI7997DP-T1-GE3价格
参考价格：￥6.0785
型号：SI7997DP-T1-GE3 品牌：Vishay Siliconix 备注：这里有SI7997DP-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI7997DP-T1-GE3批发/采购报价，SI7997DP-T1-GE3行情走势销售排行榜，SI7997DP-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI7997DP-T1-GE3 | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • PWM optimized • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Battery and load switching for notebook PCs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
SI7997DP-T1-GE3 | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：482.54 Kbytes Page：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
SI7997DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7997DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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