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SI7682DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7682DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 15:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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15
VISHAY/威世
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NA/
6000
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DFN5X6
7800
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QFN8
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QFN
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
VISHAY/威世
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PAKSO-8
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VISHAY/威世原装正品SI7682DP-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
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QFN8
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