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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VISHAY | ETC |   | ||
VISHAY | ETC | | ||
VISHAY | ETC | |
SI7606DN-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7606DN-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-18 23:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3280 |
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Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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VISHAY/原装正品 |
10+ |
PAK1212-8 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN-8 |
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Vishay(威世) |
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NA |
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Vishay(威世) |
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VISHAY |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY |
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QFN8 |
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Vishay(威世) |
2021/2022+ |
标准封装 |
6500 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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