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SI7366DP-T1-GE3

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.16707 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI7366DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7366DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-2 11:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
V
23+
QFN8
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
V
24+
QFN8
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY/威世
22+
SO-8
20000
保证原装正品,假一陪十
VISHAY/威世
1948+
QFN8
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
2020+
PAKSO-8
15000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
Vishay Siliconix
22+
PowerPAK? SO8
9000
原厂渠道,现货配单
VISHAY/威世
22+
QFN-8
25000
只有原装原装,支持BOM配单
VBSEMI
19+
QFN8
24333

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