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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI7366DP-T1-GE3 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.16707 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   |
SI7366DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7366DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-18 8:08:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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VBSEMI |
19+ |
QFN8 |
24333 |
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Vishay/Siliconix |
24+ |
SO-8 |
7500 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO-8 |
7000 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
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2019-3-7
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