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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SI7236DP-T1-E3 | DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET 文件:497.34 Kbytes Page:13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |
SI7236DP-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7236DP-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 60A 46W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
19+ |
QFN8 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
DFN8 |
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NA |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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