位置：首页 > IC中文资料第1738页 > SI7136DP-T1-GE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VBsemi | ETC |   | ||
VISHAY | ETC | | ||
VISHAY | ETC | | ||
VISHAY | ETC | | ||
Vishay Siliconix | ETC | | ||
Vishay Siliconix | ETC | |
SI7136DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7136DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-21 9:30:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBsemi |
24+ |
QFN |
18000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
|||
Vishay(威世) |
2511 |
36000 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
||||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
60000 |
||||
Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO-8 |
7000 |
||||
VISHAY/威世 |
21+ |
QFN-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
VISHAY |
2016+ |
QFN8 |
2500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配单提供样品 |
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2020-1-3
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