型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI5856DC-T1-E3

N-Channel1.8-V(G-S)MOSFETWithSchottkyDiode

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
SI5856DC-T1-E3

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.10493 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI5856DC-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5856DC-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-22 18:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装优势
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