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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI5856DC-T1-E3 | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode 文件：111.48 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SI5856DC-T1-E3 | Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.10493 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SI5856DC-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5856DC-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-18 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SI5356A-B-GMR 是一款高集成度时钟发生器芯片，广泛应用于通信设备、网络交换机、服务器、数据中心等领域。该器件支持多达六路独立输出，能够灵活生成多种频率信号，为复杂系统提供可靠、低抖动的时钟基准。
SI5356A-B-GMR 5000
2025-10-28SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3
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SI5902DC-T1-GE3
2021-9-16SI5351A
SI5351A，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-8-20Si5348B-D-GM
LVCMOS, LVDS, LVPECL 时钟合成器/抖动清除器 , 6 Output 时钟合成器/抖动清除器 , + 125 C - 40 C 时钟合成器/抖动清除器 , 932SQL450 时钟合成器/抖动清除器 , 1 Output 时钟合成器/抖动清除器 , 1570 MHz 时钟合成器/抖动清除器
2020-7-8
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