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型号：SI5855CDC-T1-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SI5855CDC多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI5855CDC批发/采购报价，SI5855CDC行情走势销售排行榜，SI5855CDC报价。

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SI5855DC	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode 文件：86.13 Kbytes Page：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI5855DC	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode 文件：101.52 Kbytes Page：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
CPH5855	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] • 1.8V drive. [SBD] • Short reverse recovery time. • Low forward voltage.	SANYO 三洋	SANYO
RF-5855	AC/DC Battery Chargers 文件：309.8 Kbytes Page：2 Pages	HARRIS	HARRIS

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更新时间：2026-7-23 22:58:00

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SI5356A-B-GMR 是一款高集成度时钟发生器芯片，广泛应用于通信设备、网络交换机、服务器、数据中心等领域。该器件支持多达六路独立输出，能够灵活生成多种频率信号，为复杂系统提供可靠、低抖动的时钟基准。
SI5356A-B-GMR 5000
2025-10-28
SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3
2023-5-8
Si5904DC-T1-GE3
Si5904DC-T1-GE3
2021-9-16
SI5902DC-T1-GE3
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2021-9-16
SI5351A
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2021-8-20
Si5348B-D-GM
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2020-7-8