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SI5853DC-T1

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

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VishayVishay Siliconix

威世科技

P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

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威世科技

SI5853DC-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5853DC-T1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 3.6A 2.1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
标准封装
10048
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
Vishay(威世)
24+
NA/
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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SILICON LABS/芯科
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