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SI4943CDY-T1-E3

DualP-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.35073 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI4943CDY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4943CDY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 8.0A 3.1W 19.2mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-17 14:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2022
SOP8
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
VISHAY/威世
24+
SOP8
9370
原装正品价格优势
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
SOP-8.贴片
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
VISHAY/威世
22+
SOP-8
25000
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21+
SOP-8
10000
原装现货假一罚十
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