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SI4943CDY-T1-E3

Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.35073 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4943CDY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4943CDY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 8.0A 3.1W 19.2mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 17:32:00
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    SI4942DY-T1-E3

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  • SI4894DY-T1-E3

    MD/SMT 2 Channel P-Channel MOSFET , PowerFLAT-8x8-HV-5 SMD/SMT 650 V MOSFET , TO-264-3 MOSFET , Si SMD/SMT 1 Channel N-Channel AEC-Q101 75 V - 20 V, + 20 V MOSFET , P-Channel, SBD MOSFET , Single SOT-23-3 60 V MOSFET

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    D2PAK-3 N-Channel MOSFET , N-Channel 25 A 900 V MOSFET , Dual SMD/SMT 2 Channel N-Channel 1 V MOSFET , PG-TO-247-3 MOSFET , 1 Channel N-Channel 1 W AEC-Q101 MOSFET , P-Channel 2.7 A 30 V MOSFET

    2019-12-27