SI4830CDY-T1-GE3价格

参考价格:¥3.0050

型号:SI4830CDY-T1-GE3 品牌:VISHAY 备注:这里有SI4830CDY-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4830CDY-T1-GE3批发/采购报价,SI4830CDY-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI4830CDY-T1-GE3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4830CDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • LITTLE FOOT® Plus Schottky • PWM Optimized • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook Logic dc-to-dc • Low Current dc-to-dc

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4830CDY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4830CDY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 8A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-6 18:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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SOP-8
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Vishay(威世)
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  • SI4835DDY-T1-E3

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Id-连续漏极电流: - 13 A Vgs - 栅极-源极电压: 25 V Qg-栅极电荷: 65 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C

    2020-7-13
  • SI4835DDY-T1-E3

    TO-92-3 MOSFET , DFN-5 80 V MOSFET , 38 A 400 V MOSFET , SO-8 N-Channel 20 A 30 V MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel 20 V MOSFET , SOT-23-3 SMD/SMT 1 Channel N-Channel 200 V MOSFET

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