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SI4618DY-T1-GE3

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI4618DY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4618DY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-26 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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NA/
30473
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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21000
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。
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原厂原装现货
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23+
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7520
全新原装现货,特价出售
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22+
SOP8
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只做原装正品现货假一赔十一级代理

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