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SI4542DY-T1-GE3

N-andP-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI4542DY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4542DY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-9 17:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI
23+
SOP
18000
VISHAY
05/06+
SOP8
512
全新原装100真实现货供应
SI
23+
SOP8P
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
VISHAY/威世
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NA
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VISHAY/威世
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SMD-8
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百分百进口原装环保整盘
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2020+
SOIC3.9m
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!
VISHAY
37555+
9750
进品原装正品 现货库存带17%增值发票
VISHAY/威世
2022
SOP-8
80000
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