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SI4539ADY-T1-GE3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.2332 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4539ADY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4539ADY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 5.9/4.9A 2.0W 36/53mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
13315
原厂直销,现货供应,账期支持!
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原装正品 支持实单
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原装进口公司现货假一赔百
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24+
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假一赔百原装正品价格优势实单可谈
SI
24+
贴片
1500
本站现货库存
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23+
SOP8
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原装正品,假一罚十

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