SI4435DYTRPBF价格

参考价格:¥1.7163

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI4435DYTRPBF

UltraLowOn-Resistance

VDSS=-30V RDS(on)=0.020Ω Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

ARX4435TransceiverforMacairH009Specification

GeneralDescription TheAeroflexLaboratoriesIncorporatedmodelARX4435andARX4435FParenewgenerationmonolithictransceiverswhichprovidescompliancewithMacairH009databusrequirements. ThemodelARX4435andARX4435FPperformthefront-endanalogfunctionofinputtingandoutputtin

AEROFLEX

AEROFLEX

AEROFLEX

P-ChannelMOSFET

Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •VDS=-30V,ID=-8A •RDS(on)(m-ohm) 0.020@VGS=-10V,ID=-8A 0.030@VGS=-4.5V,ID=-5A APPLICATIONS •LoadSwitches •B

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

DELAYMODULES,TTL,SURFACEMOUNTED

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.8467 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI4435DYTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4435DYTRPBF

  • 功能描述

    MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-23 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
8-SO
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
IR
23+
SOP8
20000
原厂原装正品现货
IR
21+
SOIC-8
9850
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IR
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SOP8
8820
全新原装优势
INFINEON/英飞凌
21+
SOP8
60000
绝对原装正品现货,假一罚十
IR
22+
SOP8
800000
原装正品
22+
sot
7500
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Infineon Technologies
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SOP8
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Infineon(英飞凌)
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SOP8
7969
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

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