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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI4403DY-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Built in ESD Protection with Zener Diode • Typical ESD Performance: 1800 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Portable Devices - Load Switch - Battery Sw | VBSEMI 微碧半导体 |   |
SI4403DY-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI4403DY-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20 Volt 9.0 Amp 2.5W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-15 23:11:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOP-8 |
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2022-5-24SI4410DY TI/德州仪器
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2020-12-26SI4455DY-T1-GE3公司全新原装/长期供应
深圳市助兴科技有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-4-10
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