SI4178DY-T1价格

参考价格:¥0.9842

型号:SI4178DY-T1-GE3 品牌:Vishay Siliconix 备注:这里有SI4178DY-T1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4178DY-T1批发/采购报价,SI4178DY-T1行情走势销售排行榜,SI4178DY-T1报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SI4178DY-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4178DY-T1

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 12A SO8

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    TrenchFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-6 19:10:00
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