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SI3590DV_V01

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency • Optimized for high side / low side • Minimized conduction losses • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Portable devices inc

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-3 12:00:00
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