型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI3493DV-T1-GE3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch

VBSEMI

微碧半导体

SI3493DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3493DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
3000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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原厂渠道 可含税出货
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TSOP-6
60000
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3000
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 联系人:柯小姐 联系电话:18571346077(微信同号) 邮 箱:1728838861@qq.com 公司座机:0755-88917652 /82569753 公司网站:http://www.kehengweiyedz.cn 公司地址:深圳市福田区振兴路101号华匀大厦2栋5楼516室

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