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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3441BDV-T1-E3 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SI3441BDV-T1-E3 | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：94.49 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
SI3441BDV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3441BDV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 2.9A 0.09Ohm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-9-20 11:21:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
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VISHAY |
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SOP23-6 |
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VISHAY/威世 |
20+ |
SOT-25-5 |
89680 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOT23-6 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY |
2024+ |
SOT23-6 |
50000 |
原装现货 |
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VISHAY/威世 |
18+ |
TO23-6 |
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Vishay(威世) |
24+ |
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11800 |
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VISHAY |
24+ |
SOT-25-5 |
18800 |
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SI3441BDV-T1-E3规格书下载地址
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2020-11-13SI3443BDV-T1-E3目标原装/认准焕盛达
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2020-9-18SI3429EDV-T1-GE3
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2019-9-3
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