SI3430DV-T1价格

参考价格:¥2.2516

型号:SI3430DV-T1-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SI3430DV-T1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI3430DV-T1批发/采购报价,SI3430DV-T1行情走势销售排行榜,SI3430DV-T1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI3430DV-T1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • High-efficiency PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization:    for definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI3430DV-T1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • High-efficiency PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization:    for definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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威世科技威世科技半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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威世科技威世科技半导体

SI3430DV-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3430DV-T1

  • 功能描述

    MOSFET 100V 8A 2W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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原装现货假一罚十

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