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SI3430DV-T1-GE3价格
参考价格：￥2.2516
型号：SI3430DV-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SI3430DV-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI3430DV-T1-GE3批发/采购报价，SI3430DV-T1-GE3行情走势销售排行榜，SI3430DV-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • High-efficiency PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：239.03 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SI3430DV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3430DV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
新年份 |
TSOP-6 |
16350 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
VISHAY/威世 |
14+ |
SOT-23-6 |
618 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-163 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
VISHAY |
23+ |
SOT-23-6 |
3058 |
原厂原装正品 |
|||
VISHAY |
21+ |
TSOP-6 |
12000 |
全新原装公司现货
|
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VISHAY/威世 |
25+ |
TSOP-6 |
47811 |
VISHAY/威世全新特价Si3430DV-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
TSOP-6 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
84000 |
只做原装进口现货 |
||||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT-23-6 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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2020-11-13SI3445DV-T1
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2020-11-13SI3443BDV-T1-E3目标原装/认准焕盛达
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2020-9-18SI3429EDV-T1-GE3
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2020-6-22SI3456DDV-T1-GE3原装现货/长期供应
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-9-3
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