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SI3430DV-T1-GE3价格
参考价格：￥2.2516
型号：SI3430DV-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SI3430DV-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI3430DV-T1-GE3批发/采购报价，SI3430DV-T1-GE3行情走势销售排行榜，SI3430DV-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • High-efficiency PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：239.03 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
SI3430DV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3430DV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSOP-6 |
8215 |
原厂原装 |
|||
VISHAY |
18+ |
SOT23-6 |
11975 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY(威世) |
2024+ |
TSOP-6 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TSOP-6 |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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TSOP-6 |
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VISHAY/威世全新特价Si3430DV-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
21+ |
TSOP-6 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TSOP-6 |
51143 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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2020-11-13SI3445DV-T1
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2020-11-13SI3443BDV-T1-E3目标原装/认准焕盛达
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2020-9-18SI3429EDV-T1-GE3
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瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-9-3
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