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SI3430DV-T1-GE3价格
参考价格：￥2.2516
型号：SI3430DV-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SI3430DV-T1-GE3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI3430DV-T1-GE3批发/采购报价，SI3430DV-T1-GE3行情走势销售排行榜，SI3430DV-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •High-efficiencyPWMoptimized •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | |
SI3430DV-T1-GE3 | N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：239.03 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
SI3430DV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3430DV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
TSOP-6 |
27173 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TSOP-6 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
|||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TSOP-6 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VISHAY |
2020+ |
SC70-6 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY |
21+ |
TSOP-6 |
10000 |
只做原装 假一赔万 |
|||
VISHAY |
2023+ |
TSOP-6 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSOP-6 |
45000 |
热卖优势现货 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-23-6 |
360000 |
进口原装房间现货实库实数 |
|||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原厂原装现货 |
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2020-11-13SI3445DV-T1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13SI3443BDV-T1-E3目标原装/认准焕盛达
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2020-9-18SI3429EDV-T1-GE3
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2020-6-22SI3456DDV-T1-GE3原装现货/长期供应
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-9-3
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