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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
SI2367DS-T1-GE3	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI2367DS-T1-GE3	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：202.46 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

SI2367DS-T1-GE3MOS供应商更多...

更新时间：2025-11-4 13:01:01

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SI2369DS-T1-GE3
表面贴装型 P 通道 30 V 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
2022-10-19
Si24R1
Si24R1
2022-4-7
SI2343CDS-T1-GE3
SI2343CDS-T1-GE3
2020-9-11
SI2351DS-T1-GE3
SI2351DS-T1-GE3
2020-6-22
SI2343DS-T1-E3公司全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-8-29
SI-3000B-5终端，多功能，全模，低电压差滴管类型
特点 •紧凑的全模包（相当于TO220） •输出电流：0.27A •低压差电压：VDIF英镑0.5V（在IO=0.27A） •ON/ OFF控制终端输出与LS- TTL兼容。（可直接LS- TTL或标准CMOS逻辑驱动。） •内置折返过流，过热保护电路 •高精确度overcurent保护起动电流 SI-3157B：0.3〜0.7A（VIN= 18V） SI-3025B：0.3〜0.7A（当VIN=
2013-1-12