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SI2337DS-T1-E3价格
参考价格：￥2.4828
型号：SI2337DS-T1-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SI2337DS-T1-E3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI2337DS-T1-E3批发/采购报价，SI2337DS-T1-E3行情走势销售排行榜，SI2337DS-T1-E3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI2337DS-T1-E3 | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SI2337DS-T1-E3 | P-Channel 80-V (D-S) MOSFET 文件：110.27 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
SI2337DS-T1-E3 | P-Channel 80 V (D-S) MOSFET 文件：226.17 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
SI2337DS-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI2337DS-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 80V 2.2A 2.5W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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VISHAY/威世 |
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SOT-23 |
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SI2337DS-T1-E3 |
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2019-3-19
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