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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SI2335DS-T1-E3 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter | VBSEMI 微碧半导体 |
SI2335DS-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI2335DS-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 12V 4.0A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY |
24+ |
SOT23 |
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VISHAY |
23+ |
SOT23 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
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只做原装正品 |
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SOT23-3 |
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2019-3-19
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