SI2323DDS-T1-GE3价格

参考价格:¥0.6212

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI2323DDS-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.04793 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2323DDS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2323DDS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    20 V

  • 闸/源击穿电压

    +/- 8V

  • 漏极连续电流

    5.3 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    39 mOhms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-3

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-13 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOT-23
47757
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