SI2312BDS-T1-GE3价格

参考价格:¥0.6528

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI2312BDS-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.04795 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2312BDS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2312BDS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-3 14:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
SOT-23
28235
郑重承诺只做原装进口现货
VISHAY
24+
SOT-23
15000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
VISHAY/威世
15+
SOT23-3
90
原装现货 价格优势
VISHAY/威世
23+
SOT-23
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VISHAY/威世
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SOT-23-3 (TO-236)
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