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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SI2309DS-T1 | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：95.83 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：95.83 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.67934 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SI2309DS-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI2309DS-T1
- 功能描述
MOSFET 60V 1.25A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-9-29 12:35:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
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