位置：首页 > IC中文资料第837页 > SI2309DS-T1-GE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI2309DS-T1-GE3 | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.67934 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
SI2309DS-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI2309DS-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-5 13:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
VISHAY/威世 |
新年份 |
SOT-23 |
6500 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23 |
1687 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
VISHAY |
20+ |
SOT23 |
782 |
原装 |
|||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Vishay(威世) |
2249+ |
59092 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
SI2309DS-T1-GE3芯片相关品牌
SI2309DS-T1-GE3规格书下载地址
SI2309DS-T1-GE3参数引脚图相关
- sw-262
- stm32f103
- stm32
- stk
- stc89c52rc
- stc12c5a60s2
- st70
- st18
- sst25vf040
- sr2m
- spwm
- spice模型
- spd
- sp3232
- soc
- smd
- sl11
- sk100
- sja1000
- sig
- SI3008
- SI-3003
- SI3000
- SI2494
- SI2493D
- SI2493
- SI2457
- SI2456
- SI2439
- SI2434
- SI2433
- SI2415
- SI2414
- SI2404
- SI2403
- SI2401
- SI2400
- SI2321
- SI2314EDS-T1-E3
- SI2314EDS-T1
- SI2314EDS
- SI2312DS-T1-E3
- SI2312DS-T1
- SI2312DST1
- SI2312DS_05
- SI2312DS
- SI2312CDS-T1-GE3
- SI2312CDS
- SI2312BDS-T1-GE3
- SI2312BDS-T1-E3/BKN
- SI2312BDS-T1-E3
- SI2312BDS
- SI2312
- SI2311DS-T1-GE3
- SI2311DS-T1-E3
- SI2311DS-T1
- SI2311DS
- SI2310
- SI2309DS-T3
- SI2309DS-T1-E3
- SI2309DS-T1
- SI2309DS
- SI2309CDS-T1-GE3
- SI2309CDS-T1-E3
- SI2308DS-T3
- SI2308DS-T1-GE3
- SI2308DS-T1-E3
- SI2308DS-T1
- SI2308DS
- SI2308BDS-T1-GE3
- SI2308BDS-T1-E3/BKN
- Si2308BDS-T1-E3
- SI2308BDS_13
- SI2308BDS
- SI2307DS-T1-E3
- SI2307DS-T1
- SI2307DS
- SI2307CDS-T1-GE3
- SI2307CDS-T1-E3
- SI2307
- SI2306
- SI2305B
- SI2305
- SI2304
- SI2303
- SI2302A
- SI2302
- SI2301A
- SI2301
- SI2300
- SI2202
- SI2200
- SI2185
- SI2178
- SI2177
- SI2176
- SI2165
- SI2158
- SI2157
SI2309DS-T1-GE3数据表相关新闻
SI2312BDS-T1-BE3
SI2312BDS-T1-BE3
2022-9-6SI2312BDS-T1-GE3
SI2312BDS-T1-GE3
2020-9-11SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3
2020-8-1SI2310 主营一系列23封装MOS管技术支持
N-Channel AEC-Q101 20 V MOSFET , N-Channel MOSFET 4.5 V MOSFET , SMD/SMT N-Channel MOSFET , 1.8 V MOSFET , 1 Channel 6 A 2.3 Ohms 900 V 30 V MOSFET , 50 A 150 V MOSFET
2020-7-27SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3
2020-5-12SI2309CDS-T1-GE3VISHAY60V0.345Ohm原装
SI2309CDS-T1-GE3VISHAY60V0.345Ohm原装
2019-3-19
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
