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SI2301DS-T1

P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

PRODUCT SUMMARY VDS (V)                 rDS(on) (Ω)                ID (A)   -20                0.130 @ VGS = -4.5 V      -2.3                        0.190 @ VGS = -2.5 V      -1.9

VishayVishay Siliconix

威世科技

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.035119 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2301DS-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2301DS-T1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 2.3A 1.25W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
标准封装
7378
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
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