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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI1903DL-T1-E3 | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：93.62 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
SI1903DL-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI1903DL-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 0.44A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-20 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
390 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOT-363 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SC70-6 |
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VISHAY/威世全新特价SI1903DL-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
25+ |
SC70-6 |
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原装优势!绝对公司现货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SC70-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SC70-6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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VISHAY/威世 |
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SOT363-6 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
SC70-6 |
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VISHAY |
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SOT23-6 |
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SI1903DL-T1-E3规格书下载地址
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