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SI1012R-T1-GE3价格
参考价格：￥0.5656
型号：SI1012R-T1-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SI1012R-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI1012R-T1-GE3批发/采购报价，SI1012R-T1-GE3行情走势销售排行榜，SI1012R-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI1012R-T1-GE3 | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 文件：108.39 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SI1012R-T1-GE3 | N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 文件：204.62 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Si1012R-T1-GE3 | N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 文件：172 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SI1012R-T1-GE3 | N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 文件：170.36 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SI1012R-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI1012R-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-15 22:58:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
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SOT523 |
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