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BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

更新时间:2025-11-4 14:48:01
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