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SGW13N60UFDTM

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 13A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies.DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheNell13N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof13A,fastswitch

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓

Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.06712 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:301.97 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SGW13N60UFDTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGW13N60UFDTM

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
TO-263
699839
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INFINEON/英飞凌
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