型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

AvalancheEnergySpecified

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELPOWERMOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

N-ChannelPowerMOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SGU6N60UFTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGU6N60UFTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 6A/600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 14:20:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
4毛BYD
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TO220
360000
进口原装房间现货实库实数
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全新原装现货

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