位置:首页 > IC中文资料第1864页 > SGU20N40LTU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGU20N40LTU | 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IGBT 400V 45W IPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | ||
SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features Gate–Emitter ESD protection, Gate–Collector overvoltage protection from SMARTDISCRETES monolithic circuitry for usage as an Ignition Coil Driver. • Temperature Compensated Gate–C | Motorola 摩托罗拉 | |||
400V, 23A N-CHANNEL POWER MOSFET 文件:201.28 Kbytes Page:6 Pages | UTC 友顺 | |||
20A竊?00V N-CHANNEL MOSFET 文件:445.83 Kbytes Page:7 Pages | KIA 可易亚半导体 | |||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件:192.68 Kbytes Page:5 Pages | UTC 友顺 | |||
400V,20A N-Channel MOSFET 文件:337.01 Kbytes Page:6 Pages | AOSMD 万国半导体 |
SGU20N40LTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGU20N40LTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
24+ |
NA/ |
369 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
69703 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
VECTRON |
SMD-6 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
24+ |
8000 |
||||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-251 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VIS |
2447 |
CAP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
IPak |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Fairchild仙童 |
25+ |
IPAK |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
IPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
24+ |
35200 |
一级代理分销/放心采购 |
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SGU20N40LTU规格书下载地址
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2018-12-27
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