位置:首页 > IC中文资料第1864页 > SGU20N40LTU
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SGU20N40LTU | 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IGBT 400V 45W IPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | |||
400V,23AN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:201.28 Kbytes Page:6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
20A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件:445.83 Kbytes Page:7 Pages | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 | |||
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件:192.68 Kbytes Page:5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
400V,20AN-ChannelMOSFET 文件:337.01 Kbytes Page:6 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |
SGU20N40LTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGU20N40LTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
69703 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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Fairchild仙童 |
23+ |
IPAK |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
IPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-251-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VI |
23+ |
NA |
5556 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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FAIRC |
12+ |
TO-251 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
Fairchild仙童 |
22+ |
IPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
IPak |
8000 |
只做原装现货 |
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VIS |
2021+ |
CAP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
TO-251 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
SGU20N40LTU规格书下载地址
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2018-12-27
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