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SGSD200晶体管资料
SGSD200别名：SGSD200三极管、SGSD200晶体管、SGSD200晶体三极管
SGSD200生产厂家：
SGSD200制作材料：Si-P+Darl+Di
SGSD200性质：功率放大 （L）_开关管 （S）
SGSD200封装形式：直插封装
SGSD200极限工作电压：80V
SGSD200最大电流允许值：25A
SGSD200最大工作频率：<1MHZ或未知
SGSD200引脚数：3
SGSD200最大耗散功率：130W
SGSD200放大倍数：β=600-15000
SGSD200图片代号：B-70
SGSD200vtest：80
SGSD200htest：999900
- SGSD200atest：25
SGSD200wtest：130
SGSD200代换 SGSD200用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGSD200 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES ■ MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION APPLICATIONS: ■ AUDIO POWER AMPLIFIER ■ DC-AC CONVERTER ■ EASY DRIVER FOR LOW VOLTAGE DC MOTOR ■ GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATIONS DESCRIPTION The SGSD100 is Sili | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
SGSD200 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The SGSD100 is an epitaxial-base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-247 plastic package. It is inteded for use in general purpose and high current amplifier applications. The complementary PNP type is the SGSD200. Features ■ Complementary NPN - | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
SGSD200 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：散装 描述：TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
SGSD200 | Complementary power Darlington transistors 文件：687 Kbytes Page：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Bulk Metal® Foil Technology Conformally Coated Precision Current Sensing Resistors with TCR of 5 ppm/°C and values down to 5 mΩ 文件：105.62 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
TOGGLE SWITCHES - SUB MINIATURE 文件：718.4 Kbytes Page：5 Pages | E-SWITCH | | ||
100/200 文件：3.83844 Mbytes Page：2 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | | ||
Easy Identification and Tracing with 10-color Cable 文件：1.18408 Mbytes Page：2 Pages | ARIES Aries Electronics,inc | | ||
Resistant to tears and punctures 文件：225.28 Kbytes Page：2 Pages | LSTD | |
SGSD200产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGSD200
- 功能描述
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SGSD200规格书下载地址
SGSD200参数引脚图相关
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