SGSD200晶体管资料

  • SGSD200别名:SGSD200三极管、SGSD200晶体管、SGSD200晶体三极管

  • SGSD200生产厂家

  • SGSD200制作材料:Si-P+Darl+Di

  • SGSD200性质:功率放大 (L)_开关管 (S)

  • SGSD200封装形式:直插封装

  • SGSD200极限工作电压:80V

  • SGSD200最大电流允许值:25A

  • SGSD200最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SGSD200引脚数:3

  • SGSD200最大耗散功率:130W

  • SGSD200放大倍数:β=600-15000

  • SGSD200图片代号:B-70

  • SGSD200vtest:80

  • SGSD200htest:999900

  • SGSD200atest:25

  • SGSD200wtest:130

  • SGSD200代换 SGSD200用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SGSD200

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES ■ MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION APPLICATIONS: ■ AUDIO POWER AMPLIFIER ■ DC-AC CONVERTER ■ EASY DRIVER FOR LOW VOLTAGE DC MOTOR ■ GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATIONS DESCRIPTION The SGSD100 is Sili

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意法半导体

SGSD200

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Description The SGSD100 is an epitaxial-base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-247 plastic package. It is inteded for use in general purpose and high current amplifier applications. The complementary PNP type is the SGSD200. Features ■ Complementary NPN -

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意法半导体

SGSD200

Complementary power Darlington transistors

文件:687 Kbytes Page:10 Pages

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意法半导体

SGSD200

封装/外壳:TO-247-3 包装:散装 描述:TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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意法半导体

SGSD200

TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247

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意法半导体

Resistant to tears and punctures

文件:225.28 Kbytes Page:2 Pages

LSTD

莱尔德

Bulk Metal® Foil Technology Conformally Coated Precision Current Sensing Resistors with TCR of 5 ppm/°C and values down to 5 mΩ

文件:105.62 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

TOGGLE SWITCHES - SUB MINIATURE

文件:718.4 Kbytes Page:5 Pages

E-SWITCH

Easy Identification and Tracing with 10-color Cable

文件:1.18408 Mbytes Page:2 Pages

ARIES

100/200

文件:3.83844 Mbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SGSD200产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGSD200

  • 功能描述

    达林顿晶体管 PNP Power Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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54000
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