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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGS6N60UFTU | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 6A 22W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
AvalancheEnergySpecified DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 |  | | |
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SGS6N60UFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGS6N60UFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/3A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
MODULE |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
424 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
|||
DECODER/MUX1OF8SOIC16 |
4 |
||||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO220F |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Fairchild仙童 |
23+ |
TO-TO-220F |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
NS/国半 |
21+ |
SOP |
7540 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
NS |
23+ |
SOP |
9823 |
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