型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SGS6N60UFTU

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 22W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

无锡固电

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

N-Channel Power MOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SGS6N60UFTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGS6N60UFTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/3A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-2 18:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS
NEW
SOP
9823
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
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