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位置：首页 > IC中文资料第12888页 > SGS6N60UFD

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGS6N60UFD

Ultra-FastIGBT

GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature.. Features •Highspeed

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SGS6N60UFDTU

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 6A 22W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
6N60

AvalancheEnergySpecified

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
6N60

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
6N60

N-CHANNELPOWERMOSFET

文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
6N60

N-ChannelPowerMOSFET

文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI
6N60

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SGS6N60UFD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGS6N60UFD

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    Ultra-Fast IGBT

SGS6N60UFD供应商更多...

更新时间：2024-6-12 17:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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