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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGS5N60RUFDTU | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 8A 35W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
4.5 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching application | UTC 友顺 | | ||
4.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：242.68 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：254.02 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Power MOSFET 文件：1.06579 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：396.63 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | |
SGS5N60RUFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGS5N60RUFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/5A/w/FRD
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
TO220F |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FAIRC |
24+ |
TO-220F |
16800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
|||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-220F |
8866 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2720 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
424 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
|||
INTERSIL |
23+ |
to-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
TO220F |
8000 |
只做原装现货 |
|||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2018-12-27
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