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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGS5N60RUFDTU | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 8A 35W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：242.68 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：254.02 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
PowerMOSFET 文件：1.06579 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：396.63 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 |  | |
SGS5N60RUFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGS5N60RUFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/5A/w/FRD
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL |
23+ |
to-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2720 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
FAIRCHILD |
22+ |
TO-220F |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-TO-220F |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220F |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
FAIRC |
2020+ |
TO-220F |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
SYNERGY MICROWAVE |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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2018-12-27
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