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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGS10N60RUFTU | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A 55W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
SGS10N60RUFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGS10N60RUFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ST |
23+ |
ZIP-3 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
FSC |
0129+ |
TO-220F |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
SGS |
新 |
14 |
全新原装 货期两周 |
||||
ST |
23+ |
TO-126 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
TO220F |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
TO220F |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ST |
22+ |
TO-126 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ST |
2511 |
TO-126 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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2018-12-27
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