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SGS10N60RUFTU

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 55W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:2.33382 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件:976.2 Kbytes Page:11 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

SGS10N60RUFTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGS10N60RUFTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/10A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-7 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
TO-126
100000
代理渠道/只做原装/可含税
FSC
0129+
TO-220F
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
1000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FSC
TO-220F
699839
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
ST/意法
22+
TO-126
95384
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
10843
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
FAIRCHILD
TO-220
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
FAIRCHIL
2316+
TO-220F
3986
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
SGS
14
全新原装 货期两周

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