SGS10N60RUFDTU价格

参考价格:¥6.7308

型号:SGS10N60RUFDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有SGS10N60RUFDTU多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGS10N60RUFDTU批发/采购报价,SGS10N60RUFDTU行情走势销售排行榜,SGS10N60RUFDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SGS10N60RUFDTU

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:2.33382 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:976.2 Kbytes Page:11 Pages

WXDH

东海半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

SGS10N60RUFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGS10N60RUFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-7 17:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild(飞兆/仙童)
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NA
20094
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ON
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