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SGS10N60RUFDTU价格
参考价格:¥6.7308
型号:SGS10N60RUFDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有SGS10N60RUFDTU多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGS10N60RUFDTU批发/采购报价,SGS10N60RUFDTU行情走势销售排行榜,SGS10N60RUFDTU报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SGS10N60RUFDTU | 封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | |||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件:2.33382 Mbytes Page:11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:976.2 Kbytes Page:11 Pages | WXDH 东海半导体 | |||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages | UTC 友顺 |
SGS10N60RUFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGS10N60RUFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220F |
30000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FSC |
18+ |
TO220F |
95 |
原装 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO220F |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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Fairchild/ON |
22+ |
TO220F |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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SGS10N60RUFDTU规格书下载地址
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2018-12-27
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