位置：首页 > IC中文资料第4288页 > SGR20N40LTM
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGR20N40LTM | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 400V 45W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features Gate–Emitter ESD protection, Gate–Collector overvoltage protection from SMARTDISCRETES monolithic circuitry for usage as an Ignition Coil Driver. • Temperature Compensated Gate–C | Motorola 摩托罗拉 | | ||
400V, 23A N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：201.28 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
20A竊?00V N-CHANNEL MOSFET 文件：445.83 Kbytes Page：7 Pages | KIA 可易亚半导体 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：192.68 Kbytes Page：5 Pages | UTC 友顺 | | ||
400V,20A N-Channel MOSFET 文件：337.01 Kbytes Page：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | |
SGR20N40LTM产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGR20N40LTM
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
FAIRCHIL |
2025+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
FAIRCHI |
18+ |
TO252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
OMRON/欧姆龙 |
2508+ |
/ |
209858 |
一级代理，原装现货 |
|||
ELESTA |
2407+ |
30098 |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
||||
FSC |
05+ |
原厂原装 |
7551 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
24+ |
3000 |
自己现货 |
|||||
ELESTA |
23+ |
DIP8 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ELESTA |
24+ |
NA/ |
3378 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
SGR20N40LTM规格书下载地址
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- SGSD311
- SGSD310
- SGSD200
- SGSD100
- SGSA-S
- SGS6N60
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- SGR70
- SGR60
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