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SGP6N60UFDTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 30W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友顺

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

无锡固电

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

N-Channel Power MOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

SGP6N60UFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP6N60UFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 11:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
23+
NA
869
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
22+
N/A
12245
现货,原厂原装假一罚十!
NEC
23+
QFP-40
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
80000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
SENSIRION
25+
DFN6
7500
原厂原装,价格优势
SMA
2447
RoHs
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Fairchild/ON
23+
TO220
8000
只做原装现货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
SMG
05+
原厂原装
305
只做全新原装真实现货供应

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